FQPF7N80C, Транзистор полевой N-канальный 800В 6.6A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 6.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.9 Ом |
| Мощность макс.: | 56Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 35нКл |
| Входная емкость: | 1680пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FQPF7N80C |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт |
Описание
Компонент FQPF7N80C, Транзистор полевой N-канальный 800В 6.6A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.