FQPF5N50, Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 3A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.8 Ом |
| Мощность макс.: | 39Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 17нКл |
| Входная емкость: | 610пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FQPF5N50 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
FQPF5N50, Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.