FDP150N10, Транзистор полевой N-канальный 100В 57A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 57A |
| Сопротивление открытого канала: | 15 мОм |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 69нКл |
| Входная емкость: | 4760пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FDP150N10 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 57A TO-220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
FDP150N10, Транзистор полевой N-канальный 100В 57A - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.