IRFB59N10DPBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 59A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 59A |
| Сопротивление открытого канала: | 25 мОм |
| Мощность макс.: | 3.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5.5В |
| Заряд затвора: | 114нКл |
| Входная емкость: | 2450пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Наименование: | IRFB59N10DPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
IRFB59N10DPBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 59A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.