IRLR120NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10А 48Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 10A |
| Сопротивление открытого канала: | 185 мОм |
| Мощность макс.: | 48Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 20нКл |
| Входная емкость: | 440пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.58 г. |
| Наименование: | IRLR120NPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | N-MOS 100V, 10A, 48W (Logic-Level) |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 75 шт |
Описание
IRLR120NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10А 48Вт - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.