• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IPD80R1K0CEATMA1, Полевой транзистор N-канальный 800В 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:800В
Ток стока макс.:5.7A
Тип транзистора:N-канал
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:DPAK/TO-252AA
Вес брутто:0.6 г.
Наименование:IPD80R1K0CEATMA1
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Нормоупаковка:2500 шт.

Описание

Компонент IPD80R1K0CEATMA1, Полевой транзистор N-канальный 800В 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.

Ключевые характеристики:

  • Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.7A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount Корпус: DPAK/TO-252AA Вес брутто: 0.6 г.

Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.

Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.