IPD80R1K0CEATMA1, Полевой транзистор N-канальный 800В 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 5.7A |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.6 г. |
| Наименование: | IPD80R1K0CEATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Компонент IPD80R1K0CEATMA1, Полевой транзистор N-канальный 800В 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.7A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount Корпус: DPAK/TO-252AA Вес брутто: 0.6 г.
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.