IRFH5007TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 17A 5X6 PQFN
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 75В |
| Ток стока макс.: | 17A(Ta),100A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 5.9 мОм @ 50А, 10В |
| Мощность макс.: | 3.6Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 150 µA |
| Заряд затвора: | 98нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 4290пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.13 г. |
| Наименование: | IRFH5007TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | PQFN 5x6 mm |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канальный IRFH5007TRPBF от компании Infineon Technologies. Этот транзистор отличается высокой надежностью, эффективностью и широкими возможностями применения в современной электронике.
Ключевые характеристики данного компонента:
- Напряжение исток-сток макс.: 75В
- Ток стока макс.: 17A(Ta), 100A(Tc)
- Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм @ 50А, 10В
- Мощность макс.: 3.6Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA
- Заряд затвора: 98нКл @ 10В
- Входная емкость: 4290пФ @ 25В
- Тип монтажа: Surface Mount
- Вес брутто: 0.13 г.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
- Корпус: PQFN 5x6 mm
Транзистор IRFH5007TRPBF широко используется в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, регуляторы напряжения, а также в системах управления двигателями и другой силовой электронике. Его высокие характеристики, компактный корпус и надежность делают его отличным выбором для современных энергоэффективных устройств.