IRL8113SPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 105 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 105A |
| Сопротивление открытого канала: | 6 мОм |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.25В |
| Заряд затвора: | 35нКл |
| Входная емкость: | 2840пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Вес брутто: | 1.2 г. |
| Наименование: | IRL8113SPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
IRL8113SPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 105 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 105A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.