Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор IRFR1018ETRPBF от Infineon Technologies, предназначенный для использования в широком спектре электронных устройств. Этот N-канальный MOSFET-транзистор отличается надежностью, высокой эффективностью и отличными рабочими характеристиками, что делает его идеальным выбором для различных применений в области силовой электроники.

Ключевые характеристики данного компонента:

• Напряжение исток-сток макс.: 60В
• Ток стока макс.: 56A (при температуре корпуса 25°C)
• Сопротивление открытого канала: 8.4 мОм @ 47А, 10В
• Мощность макс.: 110Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA
• Заряд затвора: 69нКл @ 10В
• Входная емкость: 2290пФ @ 50В
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: DPAK/TO-252AA
• Вес брутто: 0.4 г
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 2000 шт

Благодаря своим техническим характеристикам, IRFR1018ETRPBF находит широкое применение в различных областях, таких как импульсные источники питания, инверторы, регуляторы мощности, электрические двигатели и другие высокопроизводительные системы. Этот транзистор является надежным и эффективным решением для инженеров, стремящихся оптимизировать производительность и энергоэффективность своих разработок.