IRF3717PBF, Транзистор полевой N-канальный 20В 20А 2.5Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 20A |
| Сопротивление открытого канала: | 4.4 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.45В |
| Заряд затвора: | 33нКл |
| Входная емкость: | 2890пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.14 г. |
| Наименование: | IRF3717PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 95 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Компонент IRF3717PBF, Транзистор полевой N-канальный 20В 20А 2.5Вт (Infineon Technologies), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Производитель: Infineon Technologies
- Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Ток стока макс.: 20A
- Вес брутто: 0.14 г.
- Входная емкость: 2890пФ