IRFU13N20DPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13A I-PAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 13A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 235 мОм @ 8А, 10В |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5.5В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 38нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 830пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Наименование: | IRFU13N20DPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK |
| Нормоупаковка: | 75 шт. |
| Корпус: | I-Pak |
Описание
IRFU13N20DPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13A I-PAK - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 13A(Tc) Сопротивление открытого канала: 235 мОм @ 8А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.