IRFH5110TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11A 8-PQFN
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 11A(Ta),63A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 12.4 мОм @ 37А, 10В |
| Мощность макс.: | 3.6Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 100 µA |
| Заряд затвора: | 72нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 3152пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | Power56 |
| Наименование: | IRFH5110TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN |
| Нормоупаковка: | 4000 шт. |
Описание
Компонент IRFH5110TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11A 8-PQFN - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 11A(Ta),63A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.4 мОм @ 37А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.