IRFB3006GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A TO220AB
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 195A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 2.5 мОм @ 170А, 10В |
| Мощность макс.: | 375Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 300нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 8970пФ @ 50В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Наименование: | IRFB3006GPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Компонент IRFB3006GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A TO220AB - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 170А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.