BUK9E08-55B,127, Транзистор полевой MOSFET N-канальный TRENCH 55В I2PAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 75A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 7 мОм @ 25А, 10В |
| Мощность макс.: | 203Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В @ 1mA |
| Заряд затвора: | 45нКл @ 5В |
| Входная емкость: | 5280пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | I2PAK |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | BUK9E08-55B,127 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH TRENCH 55V I2PAK |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
BUK9E08-55B,127, Транзистор полевой MOSFET N-канальный TRENCH 55В I2PAK - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 203Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: NEXPERIA. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.