NTR1P02T1G, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 1A |
| Сопротивление открытого канала: | 180 мОм |
| Мощность макс.: | 400мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.3В |
| Заряд затвора: | 2.5нКл |
| Входная емкость: | 165пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23 |
| Вес брутто: | 0.04 г. |
| Наименование: | NTR1P02T1G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Техническое описание: NTR1P02T1G, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1A. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Мощность макс.: 400мВт
- Наименование: NTR1P02T1G
- Напряжение исток-сток макс.: 20В
- Нормоупаковка: 3000 шт
- Описание Eng: MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
- Производитель: ON Semiconductor