NTJS3151PT2G, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.7А 0.625Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 12В |
| Ток стока макс.: | 2.7A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 60 мОм @ 3.3А, 4.5В |
| Мощность макс.: | 625мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 400mВ @ 100 µA |
| Заряд затвора: | 8.6нКл @ 4.5В |
| Входная емкость: | 850пФ @ 12В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-363 |
| Вес брутто: | 0.037 г. |
| Наименование: | NTJS3151PT2G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Компонент NTJS3151PT2G, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.7А 0.625Вт (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Ток стока макс.: 2.7A(Ta)
- Вес брутто: 0.037 г.
- Входная емкость: 850пФ @ 12В
- Заряд затвора: 8.6нКл @ 4.5В
- Корпус: SOT-363
- Мощность макс.: 625мВт
- Наименование: NTJS3151PT2G
- Напряжение исток-сток макс.: 12В