IRF7807VD1PBF, Полевой транзистор N-канальный 30В 8.3A 8-SOIC
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 8.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 25 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Diode (Isolated) |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 14нКл |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | IRF7807VD1PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
| Нормоупаковка: | 1 шт. |
Описание
IRF7807VD1PBF, Полевой транзистор N-канальный 30В 8.3A 8-SOIC - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Diode (Isolated)
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.