IRLL014NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.0А 2.1Вт, 0.14 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 2A |
| Сопротивление открытого канала: | 140 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 14нКл |
| Входная емкость: | 230пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.85 г. |
| Наименование: | IRLL014NPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 80 шт |
Описание
IRLL014NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.0А 2.1Вт, 0.14 Ом - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.