IRLMS5703TRPBF, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 2.4 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 2.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 180 мОм |
| Мощность макс.: | 1.7Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 11нКл |
| Входная емкость: | 170пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IRLMS5703TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
| Корпус: | Micro6[тм](TSOP-6) |
Описание
IRLMS5703TRPBF, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 2.4 А - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.