IRF3808SPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 106А 200Вт, 0.007 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 75В |
| Ток стока макс.: | 106A |
| Сопротивление открытого канала: | 7 мОм |
| Мощность макс.: | 200Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 220нКл |
| Входная емкость: | 5310пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.35 г. |
| Наименование: | IRF3808SPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-канал 75В/106А/200Вт/0.007 Ом |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Компонент IRF3808SPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 106А 200Вт, 0.007 Ом (Infineon Technologies), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Заряд затвора: 220нКл
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Мощность макс.: 200Вт
- Наименование: IRF3808SPBF
- Напряжение исток-сток макс.: 75В
- Нормоупаковка: 50 шт
- Описание Eng: MOSFET N-канал 75В/106А/200Вт/0.007 Ом
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В