FDB070AN06A0, Транзистор полевой N-канальный 60В 80A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 15A |
| Сопротивление открытого канала: | 7 мОм |
| Мощность макс.: | 175Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 66нКл |
| Входная емкость: | 3000пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Наименование: | FDB070AN06A0 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
Компонент FDB070AN06A0, Транзистор полевой N-канальный 60В 80A (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Ток стока макс.: 15A
- Входная емкость: 3000пФ
- Заряд затвора: 66нКл
- Корпус: D2PAK/TO263
- Мощность макс.: 175Вт
- Наименование: FDB070AN06A0
- Напряжение исток-сток макс.: 60В
- Нормоупаковка: 800 шт.