FDP2710, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50A TO-220
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 250В |
| Ток стока макс.: | 50A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 42.5 мОм @ 25А, 10В |
| Мощность макс.: | 260Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 101нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 7280пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FDP2710 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 250V 50A TO-220 |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
Компонент FDP2710, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50A TO-220 (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 42.5 мОм @ 25А, 10В
- Тип монтажа: Through Hole
- Тип транзистора: N-канал
- Ток стока макс.: 50A(Tc)
- Вес брутто: 3.5 г.
- Входная емкость: 7280пФ @ 25В