IPI029N06NAKSA1, Транзистор полевой N-канальный 60В 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 24A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.9 мОм |
| Мощность макс.: | 3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.8В |
| Заряд затвора: | 56нКл |
| Входная емкость: | 4100пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | I2PAK |
| Наименование: | IPI029N06NAKSA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
| Нормоупаковка: | 500 шт. |
Описание
Техническое описание: IPI029N06NAKSA1, Транзистор полевой N-канальный 60В 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба. Категория: электронные компоненты. Производитель: Infineon Technologies.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Нормоупаковка: 500 шт.
- Описание Eng: Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
- Производитель: Infineon Technologies
- Сопротивление открытого канала: 2.9 мОм
- Тип монтажа: Through Hole
- Тип транзистора: N-канал