SI4838BDY-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 12 В, 34 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 12В |
| Ток стока макс.: | 34A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.7 мОм |
| Мощность макс.: | 5.7Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 84нКл |
| Входная емкость: | 5760пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | SI4838BDY-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 12V 34A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
SI4838BDY-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 12 В, 34 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 2.7 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.