FDP083N15A_F102, Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 83 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 83A |
| Сопротивление открытого канала: | 8.3 мОм |
| Мощность макс.: | 231Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 84нКл |
| Входная емкость: | 6040пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Наименование: | FDP083N15A_F102 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
FDP083N15A_F102, Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 83 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 83A Сопротивление открытого канала: 8.3 мОм Мощность макс.: 231Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.