FDS4465, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 13.5A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 13.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 8.5 мОм |
| Мощность макс.: | 1.2Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 120нКл |
| Входная емкость: | 8237пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.14 г. |
| Наименование: | FDS4465 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
FDS4465, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 13.5A - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 13.5A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.