FQB55N10TM, Транзистор полевой N-канальный 100В 55А 26 мОм
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 55A |
| Сопротивление открытого канала: | 26 мОм |
| Мощность макс.: | 3.75Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 98нКл |
| Входная емкость: | 2730пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Вес брутто: | 1.2 г. |
| Наименование: | FQB55N10TM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Тип упаковки: | Amunition Pack (лента в коробке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
Компонент FQB55N10TM, Транзистор полевой N-канальный 100В 55А 26 мОм (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 26 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Amunition Pack (лента в коробке)
- Ток стока макс.: 55A
- Вес брутто: 1.2 г.