IRLML2402TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.2А 0.54Вт, 0.25 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 1.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 250 мОм |
| Мощность макс.: | 540мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 700mВ |
| Заряд затвора: | 3.9нКл |
| Входная емкость: | 110пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) |
| Вес брутто: | 0.07 г. |
| Наименование: | IRLML2402TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию транзистор IRLML2402TRPBF от компании Infineon Technologies - надёжный и эффективный компонент для широкого спектра электронных устройств. Этот N-канальный полевой транзистор MOSFET отличается высокой производительностью, низким сопротивлением открытого канала и небольшими размерами, что делает его отличным выбором для применения в современной электронике.
Основные характеристики транзистора IRLML2402TRPBF:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В
- Ток стока макс.: 1.2A
- Сопротивление открытого канала: 250 мОм
- Мощность макс.: 540мВт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ
- Заряд затвора: 3.9нКл
- Входная емкость: 110пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
- Вес брутто: 0.07 г.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 3000 шт
Транзистор IRLML2402TRPBF находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как источники питания, усилители мощности, ключевые схемы, контроллеры двигателей и многое другое. Его характеристики и компактный корпус делают его отличным выбором для использования в современной электронике, где важны высокая производительность, надёжность и эффективность.