IXTY02N120P, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 200MA DPAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | IXYS Corporation |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 1200В (1.2kВ) |
| Ток стока макс.: | 200мА(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 75 Ом @ 500mА, 10В |
| Мощность макс.: | 33Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 100 µA |
| Заряд затвора: | 4.7нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 104пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | IXTY02N120P |
| Производитель: | IXYS Corporation |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 1200V 200MA DPAK |
| Нормоупаковка: | 70 шт. |
Описание
IXTY02N120P, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 200MA DPAK - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 1200В (1.2kВ) Ток стока макс.: 200мА(Tc) Сопротивление открытого канала: 75 Ом @ 500mА, 10В Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: IXYS Corporation. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.