IRF1018ESTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 79A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 8.4 мОм @ 47А, 10В |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 100 µA |
| Заряд затвора: | 69нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 2290пФ @ 50В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.2 г. |
| Наименование: | IRF1018ESTRLPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Компонент IRF1018ESTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 79A(Tc) Сопротивление открытого канала: 8.4 мОм @ 47А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.