SI4403CDY-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 13.4 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 13.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 15.5 мОм |
| Мощность макс.: | 5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 90нКл |
| Входная емкость: | 2380пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | SI4403CDY-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
SI4403CDY-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 13.4 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 13.4A Сопротивление открытого канала: 15.5 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.