FDS86242, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.1A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 4.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 67 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 13нКл |
| Входная емкость: | 760пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8N |
| Наименование: | FDS86242 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
FDS86242, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.1A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 67 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.