FDPF10N60NZ, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 38Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 10A |
| Сопротивление открытого канала: | 750 мОм |
| Мощность макс.: | 38Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 30нКл |
| Входная емкость: | 1475пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 2.4 г. |
| Наименование: | FDPF10N60NZ |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | N-MOS+D 600V,10A,38W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Компонент FDPF10N60NZ, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 38Вт - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.