IRFR825PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 6A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.3 Ом |
| Мощность макс.: | 119Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 34нКл |
| Входная емкость: | 1346пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.8 г. |
| Наименование: | IRFR825PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 75 шт |
Описание
Компонент IRFR825PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом Мощность макс.: 119Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.