• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

SI4477DY-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 26.6 А

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Vishay
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:20В
Ток стока макс.:26.6A
Сопротивление открытого канала:6.2 мОм
Мощность макс.:6.6Вт
Тип транзистора:P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:1.5В
Заряд затвора:190нКл
Входная емкость:4600пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:SOIC8
Вес брутто:0.2 г.
Наименование:SI4477DY-T1-GE3
Производитель:Vishay
Описание Eng:MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:2500 шт.

Описание

SI4477DY-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 26.6 А - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.

Производитель: Vishay. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.

Основные параметры:

  • Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 26.6A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 6.6Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В

Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.

Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.