IRF9Z34NSTRRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 19A |
| Сопротивление открытого канала: | 100 мОм |
| Мощность макс.: | 3.8Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 35нКл |
| Входная емкость: | 620пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.35 г. |
| Наименование: | IRF9Z34NSTRRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Компонент IRF9Z34NSTRRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.