FQD3N60CTM_WS, Транзистор полевой N-канальный 600В 2.4A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 2.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 3.4 Ом |
| Мощность макс.: | 50Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 14нКл |
| Входная емкость: | 565пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | FQD3N60CTM_WS |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
FQD3N60CTM_WS, Транзистор полевой N-канальный 600В 2.4A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 3.4 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.