IRF6714MTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 29A DIRECTFET
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 25В |
| Ток стока макс.: | 29A(Ta),166A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 2.1 мОм @ 29А, 10В |
| Мощность макс.: | 2.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.4В @ 100 µA |
| Заряд затвора: | 44нКл @ 4.5В |
| Входная емкость: | 3890пФ @ 13В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IRF6714MTRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET |
| Нормоупаковка: | 4800 шт. |
| Корпус: | DIRECTFET[тм] MX |
Описание
Компонент IRF6714MTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 29A DIRECTFET - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 29A(Ta),166A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм @ 29А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.