IRFI4110GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72A TO220AB
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 72A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 4.5 мОм @ 43А, 10В |
| Мощность макс.: | 61Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 290нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 9540пФ @ 50В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Наименование: | IRFI4110GPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
IRFI4110GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72A TO220AB - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 72A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм @ 43А, 10В Мощность макс.: 61Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.