FQI27N25TU, Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 25.5 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 250В |
| Ток стока макс.: | 25.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 110 мОм |
| Мощность макс.: | 3.13Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 65нКл |
| Входная емкость: | 2450пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | I2PAK |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FQI27N25TU |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт. |
Описание
FQI27N25TU, Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 25.5 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 25.5A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.