FCP20N60, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 208Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 20A |
| Сопротивление открытого канала: | 190 мОм |
| Мощность макс.: | 208Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 98нКл |
| Входная емкость: | 3080пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 2.8 г. |
| Наименование: | FCP20N60 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Примечание: | DC - 21+ |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
FCP20N60, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 208Вт - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.