IRF7855PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12А 2.5Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 12A |
| Сопротивление открытого канала: | 9.4 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.9В |
| Заряд затвора: | 39нКл |
| Входная емкость: | 1560пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.55 г. |
| Наименование: | IRF7855PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 95 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
IRF7855PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12А 2.5Вт - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 9.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.