FQA6N90C_F109, Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 6 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 900В |
| Ток стока макс.: | 6A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.3 Ом |
| Мощность макс.: | 198Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 40нКл |
| Входная емкость: | 1770пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-3P |
| Вес брутто: | 6.401 г. |
| Наименование: | FQA6N90C_F109 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 30 шт. |
Описание
FQA6N90C_F109, Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 6 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом Мощность макс.: 198Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.