IRF7811AVPBF, Транзистор полевой N-канальный 30В 10.8A 2,5Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 10.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 14 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 26нКл |
| Входная емкость: | 1801пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.21 г. |
| Наименование: | IRF7811AVPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 95 шт. |
Описание
IRF7811AVPBF, Транзистор полевой N-канальный 30В 10.8A 2,5Вт - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10.8A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.