IRF7606TRPBF, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 3.6 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 3.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 90 мОм |
| Мощность макс.: | 1.8Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 30нКл |
| Входная емкость: | 520пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | MSOP8 |
| Наименование: | IRF7606TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт. |
Описание
IRF7606TRPBF, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 3.6 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.