FQAF13N80, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8А 120Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 8A |
| Сопротивление открытого канала: | 750 мОм |
| Мощность макс.: | 120Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 88нКл |
| Входная емкость: | 3500пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-3PF |
| Вес брутто: | 8 г. |
| Наименование: | FQAF13N80 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 30 шт |
Описание
FQAF13N80, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8А 120Вт - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.