IRF6613TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 23A DIRECTFET
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 40В |
| Ток стока макс.: | 23A(Ta),150A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 3.4 мОм @ 23А, 10В |
| Мощность макс.: | 2.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.25В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 63нКл @ 4.5В |
| Входная емкость: | 5950пФ @ 15В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IRF6613TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET |
| Нормоупаковка: | 4800 шт. |
| Корпус: | DIRECTFET[тм] MT |
Описание
Компонент IRF6613TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 23A DIRECTFET - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 23A(Ta),150A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм @ 23А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.