NTR2101PT1G, Транзистор полевой P-канальный 8В 3.7А 0.96Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 8В |
| Ток стока макс.: | 3.7А |
| Сопротивление открытого канала: | 52 мОм |
| Мощность макс.: | 960мВт |
| Тип транзистора: | P-канальный |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 15нКл |
| Входная емкость: | 1173пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Вес брутто: | 0.03 г. |
| Наименование: | NTR2101PT1G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
NTR2101PT1G, Транзистор полевой P-канальный 8В 3.7А 0.96Вт - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 3.7А Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 960мВт Тип транзистора: P-канальный Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.