FDD3706, Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 14.7 А, 3.8Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 14.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 9 мОм |
| Мощность макс.: | 1.6Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 23нКл |
| Входная емкость: | 1882пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.56 г. |
| Наименование: | FDD3706 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Компонент FDD3706, Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 14.7 А, 3.8Вт - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 14.7A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.