RFD3055LE, Транзистор полевой N-канальный 60В 11A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 11A |
| Сопротивление открытого канала: | 107 мОм |
| Мощность макс.: | 38Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 11.3нКл |
| Входная емкость: | 350пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-251 |
| Наименование: | RFD3055LE |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 75 шт. |
Описание
RFD3055LE, Транзистор полевой N-канальный 60В 11A - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 107 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.